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第五八九章 摩尔定律和半导体工艺制程（第5页）

当时的光刻机产业的领头羊尼康在157纳米光源上头铁了很久。

而台积电的林本坚发现了另外一个方向。

光进入水中时会发生折射，光源的波长也会有相应的缩短。

所以193纳米的光穿过一层水之后，就有了等效于134纳米波长光源的效果。

于是，台积电和阿斯麦尔合作，以林本坚提出的方向为目标，研发出了浸润式光刻机。

意思就是泡在水里面光刻。

继续使用193纳米的光源，推动芯片制程从45纳米继续上升，最终的极限做到了7纳米工艺。

直到深入5纳米制程范围的时候，193纳米的深紫外光源才彻底走到了尽头。

半导体产业不得不尝试更换波长13。5纳米的极紫外光源。

所以对于大明而言，当然可以尽快用攻关浸润式光刻技术，但是在新光源的研究上也要不断努力。

另外，前世所有用过的已经成功的路，当然是已经确定可行的路。

前世没有采用的道路，也未必是不可行的。

以现在大明的资源，对于后世出现过其他方案，也可以让工部有选择尝试。

说不定能够实现比原有道路更好的效果呢？

比如说“同步辐射光源”设施，本身作为一个其他方面的科研设施，其原理使得其能放出各种波长的光。

包括最为接近X光的“极紫外光”。

实际上，历史上早期的光刻机技术验证，也曾经用过同步辐射光源去做研究和验证。

但是同步辐射光源的性质注定了难以商业化。

大明这边也可以尝试，建设大规模的同步辐射光源，在它的基础和原理上讨论，各种光源和光刻的可行性。

同时它也可以继续作为科研设备持续运转。

　　还有其他的更加具体的细节，比如提升性能的铜导线工艺，提升效率的双件工作台设计等等。

朱靖垣把自己能想到的都依次列举出来，作为自己的不确定的设想。

让工部和半导体司安排人员去做攻关和验证。

在这样的基础上，朱靖垣对工部、半导体司、工匠们提出了更加具体的研发目标。

首先是最重要和最核心的工艺制程和中央处理器。

两年之内完成一微米工艺的普及和量产，同时完成下一代的通用微处理器的开发。

新处理的性能目标是每秒计算次数不低于一千万次。

最好是达到每秒五千万次，也就是接近于386甚至486，或者是第一代PS游戏机的水平。